Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Алешкин, В.Я. - Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
Алешкин, В.Я. - Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
Статья
Автор: Алешкин, В.Я.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма: Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Алешкин, В.Я.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма: Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алешкин, В.Я.
Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке / В.Я.Алешкин, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма. – 2014. – Т.100, No.11/12. – с.900-903. – URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/2063/article_31056.pdf. – Библиогр.:6.
Спец.(статьи,препринты) = С 332 - Электромагнитные взаимодействия
Алешкин, В.Я.
Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке / В.Я.Алешкин, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма. – 2014. – Т.100, No.11/12. – с.900-903. – URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/2063/article_31056.pdf. – Библиогр.:6.
Спец.(статьи,препринты) = С 332 - Электромагнитные взаимодействия