Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Golovynskyi, S. L. - Excitation Intensity Dependence of Lateral Photocurrent in InGaAs/GaAs Dot-Chain Structures
Golovynskyi, S. L. - Excitation Intensity Dependence of Lateral Photocurrent in InGaAs/GaAs Dot-Chain Structures
Статья
Автор: Golovynskyi, S. L.
Physics Letters A: Excitation Intensity Dependence of Lateral Photocurrent in InGaAs/GaAs Dot-Chain Structures
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Golovynskyi, S. L.
Physics Letters A: Excitation Intensity Dependence of Lateral Photocurrent in InGaAs/GaAs Dot-Chain Structures
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Golovynskyi, S.L.
Excitation Intensity Dependence of Lateral Photocurrent in InGaAs/GaAs Dot-Chain Structures / S.L.Golovynskyi, [et al.] // Physics Letters A. – 2014. – Vol.378, No.35. – p.2622-2626. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2014.07.010. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Golovynskyi, S.L.
Excitation Intensity Dependence of Lateral Photocurrent in InGaAs/GaAs Dot-Chain Structures / S.L.Golovynskyi, [et al.] // Physics Letters A. – 2014. – Vol.378, No.35. – p.2622-2626. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2014.07.010. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$