Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Moon, J.-B. - Influence of Total Ionizing Dose on Sub-100 nm Gate-All-Around MOSFETs
Moon, J.-B. - Influence of Total Ionizing Dose on Sub-100 nm Gate-All-Around MOSFETs
Статья
Автор: Moon, J.-B.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Influence of Total Ionizing Dose on Sub-100 nm Gate-All-Around MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Moon, J.-B.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Influence of Total Ionizing Dose on Sub-100 nm Gate-All-Around MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Moon, J.-B.
Influence of Total Ionizing Dose on Sub-100 nm Gate-All-Around MOSFETs / J.-B.Moon, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61,No.3, Pt.2. – p.1420-1425. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2319245. – Bibliogr.:23.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Moon, J.-B.
Influence of Total Ionizing Dose on Sub-100 nm Gate-All-Around MOSFETs / J.-B.Moon, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61,No.3, Pt.2. – p.1420-1425. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2319245. – Bibliogr.:23.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$