Электронный каталог

Статья

Huang, H.
Improving Total Dose Tolerance of Buried Oxides in SOI Wafers by Multiple-Step Si*+ Implantation / H.Huang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61,No.3, Pt.2. – p.1400-1406. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2316017. – Bibliogr.:22.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.3 - Ядерная электроника$
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$