Электронный каталог

Статья

Zhang, D.
Interface-Induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs Quantum Wells / D.Zhang, [et al.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.111, No.15. – p.156402. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.111.156402. – Bibliogr.:40.



Спец.(статьи,препринты) = С 326.3 - Ферми-системы. Спиновые системы