Электронный каталог

Статья

Li, X.
Evolution of Deep Level Centers in NPN Transistors Following 35 MeV Si Ion Irradiations With High Fluence / X.Li, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61,No.1, Pt.3. – p.630-635. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2013.2292691 . – Bibliogr.:24.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$