Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ткаченко, О.А. - Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях
Ткаченко, О.А. - Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях
Статья
Автор: Ткаченко, О.А.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма: Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ткаченко, О.А.
Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма: Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ткаченко, О.А.
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях / О.А.Ткаченко, В.А.Ткаченко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма. – 2014. – Т.99, No.3/4. – с.231-236. – URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/2032/article_30633.pdf. – Библиогр.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Ткаченко, О.А.
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях / О.А.Ткаченко, В.А.Ткаченко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. Письма. – 2014. – Т.99, No.3/4. – с.231-236. – URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/2032/article_30633.pdf. – Библиогр.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры