Электронный каталог

Статья

Poehlsen, T.
Time Dependence of Charge Losses at the Si-SiO&sub(2) Interface in p*+n-Silicon Strip Sensors / T.Poehlsen, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A : Accelerators,spectrometers,detectors and associated equipment. – 2013. – Vol.731. – p.172-176. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2013.03.035. – Bibliogr.:9.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы