Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Tian, H. Y. - Disorder Effect on the Integer Quantum Hall Effect in Trilayer Graphene
Tian, H. Y. - Disorder Effect on the Integer Quantum Hall Effect in Trilayer Graphene
Статья
Автор: Tian, H. Y.
Journal of Physics: Condensed Matter: Disorder Effect on the Integer Quantum Hall Effect in Trilayer Graphene
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Tian, H. Y.
Journal of Physics: Condensed Matter: Disorder Effect on the Integer Quantum Hall Effect in Trilayer Graphene
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Tian, H.Y.
Disorder Effect on the Integer Quantum Hall Effect in Trilayer Graphene / H.Y.Tian, [a.o.] // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2013. – Vol.25, No.49. – p.495503. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/25/49/495503. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Tian, H.Y.
Disorder Effect on the Integer Quantum Hall Effect in Trilayer Graphene / H.Y.Tian, [a.o.] // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2013. – Vol.25, No.49. – p.495503. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/25/49/495503. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры