Электронный каталог

Статья

Poehlsen, T.
Study of the Accumulation Layer and Charge Losses at the Si-SiO&sub(2) Interface in p*+n-Silicon Strip Sensors / T.Poehlsen, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A : Accelerators,spectrometers,detectors and associated equipment. – 2013. – Vol.721. – p.26-34. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2013.04.026. – Bibliogr.:17.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы