Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Li, Y. - Robust Formation of Skyrmions and Topological Hall Effect Anomaly in Epitaxial Thin Films of MnSi
Li, Y. - Robust Formation of Skyrmions and Topological Hall Effect Anomaly in Epitaxial Thin Films of MnSi
Статья
Автор: Li, Y.
Physical Review Letters: Robust Formation of Skyrmions and Topological Hall Effect Anomaly in Epitaxial Thin Films of MnSi
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Li, Y.
Physical Review Letters: Robust Formation of Skyrmions and Topological Hall Effect Anomaly in Epitaxial Thin Films of MnSi
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Li, Y.
Robust Formation of Skyrmions and Topological Hall Effect Anomaly in Epitaxial Thin Films of MnSi / Y.Li, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.11. – p.117202. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.117202. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Li, Y.
Robust Formation of Skyrmions and Topological Hall Effect Anomaly in Epitaxial Thin Films of MnSi / Y.Li, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2013. – Vol.110, No.11. – p.117202. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.117202. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Physical Review Letters Vol.110, No.11
The American Physical Society, 15/03/2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Physical Review Letters Vol.110, No.11
The American Physical Society, 15/03/2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ