Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zhang, J.-M. - Tailoring Magnetic Doping in the Topological Insulator Bi&sub(2)Se&sub(3)
Zhang, J.-M. - Tailoring Magnetic Doping in the Topological Insulator Bi&sub(2)Se&sub(3)
Статья
Автор: Zhang, J.-M.
Physical Review Letters: Tailoring Magnetic Doping in the Topological Insulator Bi&sub(2)Se&sub(3)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zhang, J.-M.
Physical Review Letters: Tailoring Magnetic Doping in the Topological Insulator Bi&sub(2)Se&sub(3)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Zhang, J.-M.
Tailoring Magnetic Doping in the Topological Insulator Bi&sub(2)Se&sub(3) / J.-M.Zhang, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2012. – Vol.109, No.26. – p.266405. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.266405. – Bibliogr.:42.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Zhang, J.-M.
Tailoring Magnetic Doping in the Topological Insulator Bi&sub(2)Se&sub(3) / J.-M.Zhang, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2012. – Vol.109, No.26. – p.266405. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.266405. – Bibliogr.:42.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Physical Review Letters Vol.109, No.26
The American Physical Society, 28/12/2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
Physical Review Letters Vol.109, No.26
The American Physical Society, 28/12/2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ