Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дунаевский, М.С. - Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки
Дунаевский, М.С. - Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки
Статья
Автор: Дунаевский, М.С.
Журнал технической физики.Письма: Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дунаевский, М.С.
Журнал технической физики.Письма: Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дунаевский, М.С.
Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки / М.С.Дунаевский, [и др.] // Журнал технической физики.Письма. – 2013. – T.39, No.4. – с.53-60. – URL: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/04/p53-60.pdf. – Библиогр.:10.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Дунаевский, М.С.
Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки / М.С.Дунаевский, [и др.] // Журнал технической физики.Письма. – 2013. – T.39, No.4. – с.53-60. – URL: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/04/p53-60.pdf. – Библиогр.:10.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$