Электронный каталог

Статья

Bielejec, E.
Experimental Study of Defect Formations in GaAs Devices Using Gain, Photoluminescence and Deep Level Transient Spectroscopy / E.Bielejec, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2013. – Vol.60,No.1, Pt.2. – p.219-223. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2012.2230646. – Bibliogr.:19.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$