Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ваганов, С.А. - Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs
Ваганов, С.А. - Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs
Статья
Автор: Ваганов, С.А.
Журнал технической физики.Письма: Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ваганов, С.А.
Журнал технической физики.Письма: Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ваганов, С.А.
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs / С.А.Ваганов, Р.П.Сейсян // Журнал технической физики.Письма. – 2012. – T.38, No.19. – с.9-13. – URL: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p9-13.pdf. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 36 - Физика твердого тела$
Ваганов, С.А.
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs / С.А.Ваганов, Р.П.Сейсян // Журнал технической физики.Письма. – 2012. – T.38, No.19. – с.9-13. – URL: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p9-13.pdf. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 36 - Физика твердого тела$