Электронный каталог -Liu, C. - The Equivalence of Displacement Damage in Silicon Bipolar Junction Transistors- Absopac

Статья
Автор: Liu, C.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: The Equivalence of Displacement Damage in Silicon Bipolar Junction Transistors
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Liu, C.
The Equivalence of Displacement Damage in Silicon Bipolar Junction Transistors / C.Liu, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A : Accelerators,spectrometers,detectors and associated equipment. – 2012. – Vol.677. – p.61-66. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2012.02.045. – Bibliogr.:19.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Liu, C. - The Equivalence of Displacement Damage in Silicon Bipolar Junction Transistors

Liu, C. - The Equivalence of Displacement Damage in Silicon Bipolar Junction Transistors

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Liu, C. - The Equivalence of Displacement Damage in Silicon Bipolar Junction Transistors

Liu, C. - The Equivalence of Displacement Damage in Silicon Bipolar Junction Transistors

Привязано к: