Электронный каталог

Статья

Eric, M.
Depth Profiling of High Energy Nitrogen Ions Implanted in the <100>,<110> and Randomly Oriented Silicon Crystals / M.Eric, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2012. – Vol.274. – p.87-92. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2011.12.008. – Bibliogr.:19.



Спец.(статьи,препринты) = С 44 г - Физико-химические методы анализа элементов. Анализ с помощью ядерных методов