Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Yu, R. S. - Positron Annihilation Study of 4H-SiC by Ge*+ Implantation and Subsequent Thermal Annealing
Yu, R. S. - Positron Annihilation Study of 4H-SiC by Ge*+ Implantation and Subsequent Thermal Annealing
Статья
Автор: Yu, R. S.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Positron Annihilation Study of 4H-SiC by Ge*+ Implantation and Subsequent Thermal Annealing
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Yu, R. S.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Positron Annihilation Study of 4H-SiC by Ge*+ Implantation and Subsequent Thermal Annealing
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Yu, R.S.
Positron Annihilation Study of 4H-SiC by Ge*+ Implantation and Subsequent Thermal Annealing / R.S.Yu, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2012. – Vol.270. – p.47-49. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2011.10.006. – Bibliogr.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 332.3 - Образование электронно-позитронных пар. Позитрон, позитроний. Взаимодействие позитрона с веществом
Yu, R.S.
Positron Annihilation Study of 4H-SiC by Ge*+ Implantation and Subsequent Thermal Annealing / R.S.Yu, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2012. – Vol.270. – p.47-49. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2011.10.006. – Bibliogr.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 332.3 - Образование электронно-позитронных пар. Позитрон, позитроний. Взаимодействие позитрона с веществом