Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Traversi, G. - Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monoli...
Traversi, G. - Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monoli...
Статья
Автор: Traversi, G.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monoli...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Traversi, G.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monoli...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Traversi, G.
Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monolithic and Hybrid Pixel Sensors / G.Traversi // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.5, Pt.2. – p.2391-2400. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2164811. – Bibliogr.:34.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3 - Ядерная электроника$
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Traversi, G.
Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monolithic and Hybrid Pixel Sensors / G.Traversi // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.5, Pt.2. – p.2391-2400. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2164811. – Bibliogr.:34.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3 - Ядерная электроника$
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы