Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ray, C. - Measurements of High Energy Loss Rates of Fast Highly Charged U Ions Channeled in Thin Silicon Cr...
Ray, C. - Measurements of High Energy Loss Rates of Fast Highly Charged U Ions Channeled in Thin Silicon Cr...
Статья
Автор: Ray, C.
Physical Review B: Measurements of High Energy Loss Rates of Fast Highly Charged U Ions Channeled in Thin Silicon Cr...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ray, C.
Physical Review B: Measurements of High Energy Loss Rates of Fast Highly Charged U Ions Channeled in Thin Silicon Cr...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ray, C.
Measurements of High Energy Loss Rates of Fast Highly Charged U Ions Channeled in Thin Silicon Crystals / C.Ray, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2011. – Vol.84, No.2. – p.024119. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.024119. – Bibliogr.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем
Ray, C.
Measurements of High Energy Loss Rates of Fast Highly Charged U Ions Channeled in Thin Silicon Crystals / C.Ray, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2011. – Vol.84, No.2. – p.024119. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.024119. – Bibliogr.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем