Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Mandal, K. C. - Characterization of Semi-Insulating 4H Silicon Carbide for Radiation Detectors
Mandal, K. C. - Characterization of Semi-Insulating 4H Silicon Carbide for Radiation Detectors
Статья
Автор: Mandal, K. C.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Characterization of Semi-Insulating 4H Silicon Carbide for Radiation Detectors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Mandal, K. C.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Characterization of Semi-Insulating 4H Silicon Carbide for Radiation Detectors
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Mandal, K.C.
Characterization of Semi-Insulating 4H Silicon Carbide for Radiation Detectors / K.C.Mandal, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.4, Pt.2. – p.1992-1999. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2152857. – Bibliogr.:18.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1 - Методы и аппаратура для регистрации элементарных частиц и фотонов$
Mandal, K.C.
Characterization of Semi-Insulating 4H Silicon Carbide for Radiation Detectors / K.C.Mandal, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.4, Pt.2. – p.1992-1999. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2152857. – Bibliogr.:18.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1 - Методы и аппаратура для регистрации элементарных частиц и фотонов$