Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Serra, N. - Experimental and TCAD Study of Breakdown Voltage Temperature Behavior in n*+/p SiPMs
Serra, N. - Experimental and TCAD Study of Breakdown Voltage Temperature Behavior in n*+/p SiPMs
Статья
Автор: Serra, N.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Experimental and TCAD Study of Breakdown Voltage Temperature Behavior in n*+/p SiPMs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Serra, N.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Experimental and TCAD Study of Breakdown Voltage Temperature Behavior in n*+/p SiPMs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Serra, N.
Experimental and TCAD Study of Breakdown Voltage Temperature Behavior in n*+/p SiPMs / N.Serra, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.3, Pt.3. – p.1233-1240. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2123919. – Bibliogr.:36.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Serra, N.
Experimental and TCAD Study of Breakdown Voltage Temperature Behavior in n*+/p SiPMs / N.Serra, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.3, Pt.3. – p.1233-1240. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2123919. – Bibliogr.:36.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы