Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Kaschieva, S. - Radiation Defects in Ion Implanted and/or High-Energy Irradiated MOS Structures
Kaschieva, S. - Radiation Defects in Ion Implanted and/or High-Energy Irradiated MOS Structures
Доступно
1 из 1
1 из 1
Книга
Автор: Kaschieva, S.
Radiation Defects in Ion Implanted and/or High-Energy Irradiated MOS Structures
Серия: Electrical Engineering Developments Series
Издательство: Nova Science Publishers, 2010 г.
ISBN 978-1-608-76188-3
Автор: Kaschieva, S.
Radiation Defects in Ion Implanted and/or High-Energy Irradiated MOS Structures
Серия: Electrical Engineering Developments Series
Издательство: Nova Science Publishers, 2010 г.
ISBN 978-1-608-76188-3
Заказать 
На полку
Книга
С349.1 К-22
Kaschieva, S.
Radiation Defects in Ion Implanted and/or High-Energy Irradiated MOS Structures / S.Kaschieva, S.N.Dmitriev. – New York : Nova Science Publishers, 2010. – IX, 195 p. : il. – (Electrical Engineering Developments Series). – Bibliogr.: ends of chaps. – ISBN 978-1-608-76188-3.
С349.1
Индексный (книги) = С 349.1 - Действие излучений на материалы
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2011
Ключевых слов = metal-oxide-semiconductor structure
Ключевых слов = radiation defects
Ключевых слов = microtrons
Ключевых слов = ion implantation
С349.1 К-22
Kaschieva, S.
Radiation Defects in Ion Implanted and/or High-Energy Irradiated MOS Structures / S.Kaschieva, S.N.Dmitriev. – New York : Nova Science Publishers, 2010. – IX, 195 p. : il. – (Electrical Engineering Developments Series). – Bibliogr.: ends of chaps. – ISBN 978-1-608-76188-3.
С349.1
Индексный (книги) = С 349.1 - Действие излучений на материалы
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2011
Ключевых слов = metal-oxide-semiconductor structure
Ключевых слов = radiation defects
Ключевых слов = microtrons
Ключевых слов = ion implantation
| Филиал | Фонд | Всего | Доступно для брони | Доступно для выдачи | Бронирование |
|---|---|---|---|---|---|
| ЗИЛ | 1 | 1 | 1 | Заказать |