Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Fang, H. - Strain-Induced Metal to Semiconductor Transition in Ultra-Small Diameter Single-Wall Carbon Nanot...
Fang, H. - Strain-Induced Metal to Semiconductor Transition in Ultra-Small Diameter Single-Wall Carbon Nanot...
Статья
Автор: Fang, H.
Physics Letters A: Strain-Induced Metal to Semiconductor Transition in Ultra-Small Diameter Single-Wall Carbon Nanot...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Fang, H.
Physics Letters A: Strain-Induced Metal to Semiconductor Transition in Ultra-Small Diameter Single-Wall Carbon Nanot...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Fang, H.
Strain-Induced Metal to Semiconductor Transition in Ultra-Small Diameter Single-Wall Carbon Nanotubes / H.Fang, [a.o.] // Physics Letters A : пер. с англ. – 2011. – Vol.375, No.8. – p.1200-1204. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2011.01.039. – Bibliogr.:46.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Fang, H.
Strain-Induced Metal to Semiconductor Transition in Ultra-Small Diameter Single-Wall Carbon Nanotubes / H.Fang, [a.o.] // Physics Letters A : пер. с англ. – 2011. – Vol.375, No.8. – p.1200-1204. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2011.01.039. – Bibliogr.:46.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры