Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ying, Y. - Spin Valve Effect and Negative Tunnel Magnetoresistance in a Quantum Dot Transistor
Ying, Y. - Spin Valve Effect and Negative Tunnel Magnetoresistance in a Quantum Dot Transistor
Статья
Автор: Ying, Y.
Physics Letters A: Spin Valve Effect and Negative Tunnel Magnetoresistance in a Quantum Dot Transistor
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ying, Y.
Physics Letters A: Spin Valve Effect and Negative Tunnel Magnetoresistance in a Quantum Dot Transistor
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ying, Y.
Spin Valve Effect and Negative Tunnel Magnetoresistance in a Quantum Dot Transistor / Y.Ying, G.Jin // Physics Letters A : пер. с англ. – 2010. – Vol.374, No.36. – p.3758-3761. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2010.07.026. – Bibliogr.:36.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Ying, Y.
Spin Valve Effect and Negative Tunnel Magnetoresistance in a Quantum Dot Transistor / Y.Ying, G.Jin // Physics Letters A : пер. с англ. – 2010. – Vol.374, No.36. – p.3758-3761. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2010.07.026. – Bibliogr.:36.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$