Электронный каталог

Статья

Кютт, Р.Н.
Изучение дефектной структуры эпитаксиальных слоев GaN на основе анализа пиков трехволновой дифракции рентгеновских лучей / Р.Н.Кютт // Журнал технической физики.Письма. – 2010. – T.36, No.15. – с.14-21. – URL: http://www.ioffe.ru/journals/pjtf/2010/15/p14-21.pdf. – Библиогр.:10.



Спец.(статьи,препринты) = С 332.8 - Синхротронное излучение. Лазеры на свободных электронах. Получение и использование рентгеновских лучей