Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Debernardi, A. - Stark Effect of Confined Shallow Levels in Phosphorus-Doped Silicon Nanocrystals
Debernardi, A. - Stark Effect of Confined Shallow Levels in Phosphorus-Doped Silicon Nanocrystals
Статья
Автор: Debernardi, A.
Physical Review B: Stark Effect of Confined Shallow Levels in Phosphorus-Doped Silicon Nanocrystals
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Debernardi, A.
Physical Review B: Stark Effect of Confined Shallow Levels in Phosphorus-Doped Silicon Nanocrystals
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Debernardi, A.
Stark Effect of Confined Shallow Levels in Phosphorus-Doped Silicon Nanocrystals / A.Debernardi, M.Fanciulli // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2010. – Vol.81, No.19. – p.195302. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195302. – Bibliogr.:30.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Debernardi, A.
Stark Effect of Confined Shallow Levels in Phosphorus-Doped Silicon Nanocrystals / A.Debernardi, M.Fanciulli // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2010. – Vol.81, No.19. – p.195302. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195302. – Bibliogr.:30.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры