Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Xiao, M. - Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconducto...
Xiao, M. - Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconducto...
Статья
Автор: Xiao, M.
Physical Review Letters: Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconducto...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Xiao, M.
Physical Review Letters: Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconducto...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Xiao, M.
Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconductor-Based Quantum Dot / M.Xiao, [et al.] // Physical Review Letters. – 2010. – Vol.104, No.9. – p.096801. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.096801. – Bibliogr.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Xiao, M.
Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconductor-Based Quantum Dot / M.Xiao, [et al.] // Physical Review Letters. – 2010. – Vol.104, No.9. – p.096801. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.096801. – Bibliogr.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$