Электронный каталог

Статья

Liu, S.
Worst-Case Test Conditions of SEGR for Power DMOSFETs / S.Liu, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2010. – Vol.57,No.1, Pt.2. – p.279-287. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2009.2036614. – Bibliogr.:13.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$