Электронный каталог

Статья

Busatto, G.
Heavy-Ion Induced Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFETs / G.Busatto, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2009. – Vol.56,No.6, Pt.2. – p.3573-3581. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2009.2032397. – Bibliogr.:44.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$