Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Riedl, C. - Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC Obtained by Hydrogen Intercalation
Riedl, C. - Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC Obtained by Hydrogen Intercalation
Статья
Автор: Riedl, C.
Physical Review Letters: Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC Obtained by Hydrogen Intercalation
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Riedl, C.
Physical Review Letters: Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC Obtained by Hydrogen Intercalation
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Riedl, C.
Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC Obtained by Hydrogen Intercalation / C.Riedl, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2009. – Vol.103, No.24. – p.246804. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.103.246804. – Bibliogr.:27.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Riedl, C.
Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC Obtained by Hydrogen Intercalation / C.Riedl, [a.o.] // Physical Review Letters. – 2009. – Vol.103, No.24. – p.246804. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.103.246804. – Bibliogr.:27.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$