Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Backman, M. - Amorphization of Ge and Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO&sub(2) by Ion Irradiation
Backman, M. - Amorphization of Ge and Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO&sub(2) by Ion Irradiation
Статья
Автор: Backman, M.
Physical Review B: Amorphization of Ge and Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO&sub(2) by Ion Irradiation
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Backman, M.
Physical Review B: Amorphization of Ge and Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO&sub(2) by Ion Irradiation
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Backman, M.
Amorphization of Ge and Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO&sub(2) by Ion Irradiation / M.Backman, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2009. – Vol.80, No.14. – p.144109. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.144109. – Bibliogr.:42.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Backman, M.
Amorphization of Ge and Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO&sub(2) by Ion Irradiation / M.Backman, [a.o.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2009. – Vol.80, No.14. – p.144109. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.144109. – Bibliogr.:42.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$