Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сошников, И.П. - Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения
Сошников, И.П. - Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения
Статья
Автор: Сошников, И.П.
Физика и техника полупроводников: Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сошников, И.П.
Физика и техника полупроводников: Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сошников, И.П.
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения / И.П.Сошников, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т.43,No.7. – с.938-942. – URL: http://www.ioffe.ru/journals/ftp/2009/07/p938-942.pdf. – Библиогр.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Сошников, И.П.
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения / И.П.Сошников, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т.43,No.7. – с.938-942. – URL: http://www.ioffe.ru/journals/ftp/2009/07/p938-942.pdf. – Библиогр.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Привязано к:
Доступно
1 из 1