Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Asil, H. - Electrochemical Growth of n-ZnO onto the p-Type GaN Substrate: p-n Heterojunction Characteristics
Asil, H. - Electrochemical Growth of n-ZnO onto the p-Type GaN Substrate: p-n Heterojunction Characteristics
Статья
Автор: Asil, H.
Applied Physics Letters: Electrochemical Growth of n-ZnO onto the p-Type GaN Substrate: p-n Heterojunction Characteristics
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Asil, H.
Applied Physics Letters: Electrochemical Growth of n-ZnO onto the p-Type GaN Substrate: p-n Heterojunction Characteristics
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Asil, H.
Electrochemical Growth of n-ZnO onto the p-Type GaN Substrate: p-n Heterojunction Characteristics / H.Asil, [a.o.] // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.94, No.25. – p.253501. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.3157268 . – Bibliogr.:29.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 846 - Оптико-электронные системы обработки информации
Asil, H.
Electrochemical Growth of n-ZnO onto the p-Type GaN Substrate: p-n Heterojunction Characteristics / H.Asil, [a.o.] // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.94, No.25. – p.253501. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.3157268 . – Bibliogr.:29.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 846 - Оптико-электронные системы обработки информации
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Applied Physics Letters Vol.94, No.25
American Institute of Physics, 22/06/2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ
Applied Physics Letters Vol.94, No.25
American Institute of Physics, 22/06/2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ