Электронный каталог

Статья

Allan, G.
Fast Relaxation of Hot Carriers by Impact Ionization in Semiconductor Nanocrystals: Role of Defects / G.Allan, C.Delerue // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2009. – Vol.79, No.19. – p.195324. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.79.195324. – Bibliogr.:46.



Спец.(статьи,препринты) = С 332.1 - Взаимодействие электрона с электроном (кроме параобразования) и атомами. Ионизация атомов частицами