Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: DaVia, C. - The Geometrical Dependence of Radiation Hardness in Planar and 3D Silicon Detectors
DaVia, C. - The Geometrical Dependence of Radiation Hardness in Planar and 3D Silicon Detectors
Статья
Автор: DaVia, C.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: The Geometrical Dependence of Radiation Hardness in Planar and 3D Silicon Detectors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: DaVia, C.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: The Geometrical Dependence of Radiation Hardness in Planar and 3D Silicon Detectors
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
DaVia, C.
The Geometrical Dependence of Radiation Hardness in Planar and 3D Silicon Detectors / C.DaVia, S.J.Watts // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A : Accelerators,spectrometers,detectors and associated equipment. – 2009. – Vol.603, No.3. – p.319-324. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2009.02.030. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
DaVia, C.
The Geometrical Dependence of Radiation Hardness in Planar and 3D Silicon Detectors / C.DaVia, S.J.Watts // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A : Accelerators,spectrometers,detectors and associated equipment. – 2009. – Vol.603, No.3. – p.319-324. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2009.02.030. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$