Электронный каталог

Статья

Lin, Y.-R.
GaAs&sub(0.7)Sb&sub(0.3)/GaAs Type-II Quantum Well With an Adjacent InAs Quantum-Dot Stressor Layer / Y.-R.Lin, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.94, No.11. – p.111106. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.3100191. – Bibliogr.:9.



Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$