Электронный каталог

Статья

Lo, Y.-S.
Field Enhancement Effect of Nanocrystals in Bandgap Engineering of Tunnel Oxide for Nonvolatile Memory Application / Y.-S.Lo, [a.o.] // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.94, No.8. – p.082901. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.3077614 . – Bibliogr.:11.



Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства