Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ratti, L. - Design Optimization of Charge Preamplifiers With CMOS Processes in the 100 nm Gate Length Regime
Ratti, L. - Design Optimization of Charge Preamplifiers With CMOS Processes in the 100 nm Gate Length Regime
Статья
Автор: Ratti, L.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Design Optimization of Charge Preamplifiers With CMOS Processes in the 100 nm Gate Length Regime
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ratti, L.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Design Optimization of Charge Preamplifiers With CMOS Processes in the 100 nm Gate Length Regime
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ratti, L.
Design Optimization of Charge Preamplifiers With CMOS Processes in the 100 nm Gate Length Regime / L.Ratti, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2009. – Vol.56,No.1, Pt.2. – p.235-242. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2008.2009311. – Bibliogr.:23.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3е - Системы электронных блоков для физических измерений: для временных измерений, логические схемы, спектрометрические
Ratti, L.
Design Optimization of Charge Preamplifiers With CMOS Processes in the 100 nm Gate Length Regime / L.Ratti, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2009. – Vol.56,No.1, Pt.2. – p.235-242. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2008.2009311. – Bibliogr.:23.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3е - Системы электронных блоков для физических измерений: для временных измерений, логические схемы, спектрометрические