Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Park, W. I. - Electrical Properties of Delta-Doped Silicon-Nanowire Field-Effect Transistors
Park, W. I. - Electrical Properties of Delta-Doped Silicon-Nanowire Field-Effect Transistors
Статья
Автор: Park, W. I.
Journal of the Korean Physical Society: Electrical Properties of Delta-Doped Silicon-Nanowire Field-Effect Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Park, W. I.
Journal of the Korean Physical Society: Electrical Properties of Delta-Doped Silicon-Nanowire Field-Effect Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Park, W.I.
Electrical Properties of Delta-Doped Silicon-Nanowire Field-Effect Transistors / W.I.Park // Journal of the Korean Physical Society. – 2008. – Vol.53, No.4. – p.L1759-L1763. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Park, W.I.
Electrical Properties of Delta-Doped Silicon-Nanowire Field-Effect Transistors / W.I.Park // Journal of the Korean Physical Society. – 2008. – Vol.53, No.4. – p.L1759-L1763. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$