Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сибирев, Н.В. - О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
Сибирев, Н.В. - О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
Статья
Автор: Сибирев, Н.В.
Физика и техника полупроводников: О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сибирев, Н.В.
Физика и техника полупроводников: О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сибирев, Н.В.
О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения / Н.В.Сибирев, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т.42,No.11. – с.1286-1290. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2008/11/p1286-1290.pdf. – Библиогр.:18.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Сибирев, Н.В.
О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения / Н.В.Сибирев, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т.42,No.11. – с.1286-1290. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2008/11/p1286-1290.pdf. – Библиогр.:18.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$