Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Харламов, В.С. - Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния
Харламов, В.С. - Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния
Статья
Автор: Харламов, В.С.
Журнал технической физики: Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Харламов, В.С.
Журнал технической физики: Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Харламов, В.С.
Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния / В.С.Харламов, [и др.] // Журнал технической физики. – 2008. – T.78, No.11. – с.104-118. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2008/11/p104-118.pdf. – Библиогр.:77.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Харламов, В.С.
Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния / В.С.Харламов, [и др.] // Журнал технической физики. – 2008. – T.78, No.11. – с.104-118. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2008/11/p104-118.pdf. – Библиогр.:77.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Привязано к:
Доступно
1 из 1