Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сherns, D. - Defect-Controlled Growth of GaN Nanorods on (0001)Sapphire by Molecular Beam Epitaxy
Сherns, D. - Defect-Controlled Growth of GaN Nanorods on (0001)Sapphire by Molecular Beam Epitaxy
Статья
Автор: Сherns, D.
Applied Physics Letters: Defect-Controlled Growth of GaN Nanorods on (0001)Sapphire by Molecular Beam Epitaxy
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сherns, D.
Applied Physics Letters: Defect-Controlled Growth of GaN Nanorods on (0001)Sapphire by Molecular Beam Epitaxy
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сherns, D.
Defect-Controlled Growth of GaN Nanorods on (0001)Sapphire by Molecular Beam Epitaxy / D.Сherns, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2008. – Vol.93, No.11. – p.111911. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2987423 . – Bibliogr.:18.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Сherns, D.
Defect-Controlled Growth of GaN Nanorods on (0001)Sapphire by Molecular Beam Epitaxy / D.Сherns, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2008. – Vol.93, No.11. – p.111911. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2987423 . – Bibliogr.:18.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Applied Physics Letters Vol.93, No.11
American Institute of Physics, 15/09/2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ
Applied Physics Letters Vol.93, No.11
American Institute of Physics, 15/09/2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ