Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г.А. - Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния
Качурин, Г.А. - Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния
Статья
Автор: Качурин, Г.А.
Физика и техника полупроводников: Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г.А.
Физика и техника полупроводников: Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г.А.
Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния / Г.А.Качурин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т.42,No.9. – с.1145-1149. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2008/09/p1145-1149.pdf. – Библиогр.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 - Прохождение частиц и гамма-квантов через вещество
Качурин, Г.А.
Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния / Г.А.Качурин, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т.42,No.9. – с.1145-1149. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2008/09/p1145-1149.pdf. – Библиогр.:16.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 - Прохождение частиц и гамма-квантов через вещество
Привязано к:
Доступно
1 из 1