Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Lee, H. J. - Leakage Current Mechanisms in Top-Gate Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors
Lee, H. J. - Leakage Current Mechanisms in Top-Gate Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors
Статья
Автор: Lee, H. J.
Applied Physics Letters: Leakage Current Mechanisms in Top-Gate Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Lee, H. J.
Applied Physics Letters: Leakage Current Mechanisms in Top-Gate Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Lee, H.J.
Leakage Current Mechanisms in Top-Gate Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors / H.J.Lee, [a.o.] // Applied Physics Letters. – 2008. – Vol.92, No.8. – p.083509. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2887882. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Lee, H.J.
Leakage Current Mechanisms in Top-Gate Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors / H.J.Lee, [a.o.] // Applied Physics Letters. – 2008. – Vol.92, No.8. – p.083509. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2887882. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Applied Physics Letters Vol.92, No.8
American Institute of Physics, 25/02/2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ
Applied Physics Letters Vol.92, No.8
American Institute of Physics, 25/02/2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ