Электронный каталог

Статья

Jang, Y.D.
Carrier Lifetime in Type-II InAs Quantum Dots Capped with a GaAsSb Strain Reducing Layer / Y.D.Jang, [et al.] // Applied Physics Letters. – 2008. – Vol.92, No.25. – p.251905. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2949741. – Bibliogr.:12.



Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$