Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Da Via, C. - Radiation Hardness Properties of Full-3D Active Adge Silicon Sensors
Da Via, C. - Radiation Hardness Properties of Full-3D Active Adge Silicon Sensors
Статья
Автор: Da Via, C.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: Radiation Hardness Properties of Full-3D Active Adge Silicon Sensors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Da Via, C.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: Radiation Hardness Properties of Full-3D Active Adge Silicon Sensors
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Da Via, C.
Radiation Hardness Properties of Full-3D Active Adge Silicon Sensors / C.Da Via, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A : Accelerators,spectrometers,detectors and associated equipment. – 2008. – Vol.587, No.2/3. – p.243-249. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2007.12.027. – Bibliogr.:31.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Da Via, C.
Radiation Hardness Properties of Full-3D Active Adge Silicon Sensors / C.Da Via, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A : Accelerators,spectrometers,detectors and associated equipment. – 2008. – Vol.587, No.2/3. – p.243-249. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2007.12.027. – Bibliogr.:31.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$