Электронный каталог

Статья

Gao, F.
Computational Study of Anisotropic Epitaxial Recrystallization in 4H-SiC / F.Gao, [a.o.] // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2008. – Vol.20, No.12. – p.125203. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/20/12/125203. – Bibliogr.:27.



Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$