Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Lin, H.-T. - Carrier-Mediated Ferromagnetism in p-Si(100) by Sequential Ion-Implantation of B and Mn
Lin, H.-T. - Carrier-Mediated Ferromagnetism in p-Si(100) by Sequential Ion-Implantation of B and Mn
Статья
Автор: Lin, H.-T.
Journal of Physics: Condensed Matter: Carrier-Mediated Ferromagnetism in p-Si(100) by Sequential Ion-Implantation of B and Mn
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Lin, H.-T.
Journal of Physics: Condensed Matter: Carrier-Mediated Ferromagnetism in p-Si(100) by Sequential Ion-Implantation of B and Mn
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Lin, H.-T.
Carrier-Mediated Ferromagnetism in p-Si(100) by Sequential Ion-Implantation of B and Mn / H.-T.Lin, [a.o.] // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2008. – Vol.20, No.9. – p.095004. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/20/9/095004. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе
Lin, H.-T.
Carrier-Mediated Ferromagnetism in p-Si(100) by Sequential Ion-Implantation of B and Mn / H.-T.Lin, [a.o.] // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2008. – Vol.20, No.9. – p.095004. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/20/9/095004. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б3 - Перезарядка тяжелых ионов в веществе