Электронный каталог

Статья

Seo, S.H.
Investigation of the Channel-Width Dependence of CHEI Program / HHI Erase Cycling Behavior in Nitride-Based Charge-Trapping Flash (CTF) Memory Devices / S.H.Seo, [a.o.] // Journal of the Korean Physical Society. – 2008. – Vol.52, No.2. – p.481-486. – Bibliogr.:18.



Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства